Snubber filmskog kondenzatora visoke struje za aparat za zavarivanje (SMJ-TC)

Kratki opis:

Model kondenzatora: SMJ-TC

Karakteristike:

1. Elektrode sa bakrenim maticama

2. Mala fizička veličina i jednostavna instalacija

3. Tehnologija namotavanja Mylar trake

4. Suvo punjenje smole

5. Niska ekvivalentna serijska induktivnost (ESL) i ekvivalentna serijska otpornost (ESR)

Prijave:

1. GTO Snubber

2. Apsorpcija vršnog napona i vršne struje i zaštita za sklopnu komponentu u elektronskoj opremi

Snubber kola su neophodna za diode koje se koriste u prekidačkim krugovima.Može spasiti diodu od skokova prenapona, koji mogu nastati tokom procesa obrnutog oporavka.

Pošaljite nam email Preuzmite kao PDF

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Tehnički podaci

Raspon radne temperature	Max.Radna temperatura.,Top,max: + 85℃ Temperatura gornje kategorije: +85℃ Temperatura donje kategorije: -40℃
raspon kapacitivnosti	0.22～3μF
Nazivni napon	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Izdržati napon	1.35Un DC/10S
Faktor disipacije	tgδ≤0.001 f=1KHz
Otpor izolacije	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (na 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (na 20℃ 100V.DC 60S)
Izdržati udarnu struju	vidi tablicu sa podacima
Očekivano trajanje života	100000h (Un; Θhotspot≤70°C)
Referentni standard	IEC 61071 ;

Feature

1. Mylar traka, zapečaćena smolom;

2. Bakrene matice;

3. Otpornost na visoki napon, nizak tgδ, nizak porast temperature;

4. nizak ESL i ESR;

5. Visoka impulsna struja.

Aplikacija

1. GTO Snubber.

2. Široko se koristi u energetskoj elektronskoj opremi kada je vršni napon, zaštita od apsorpcije vršne struje.

Tipično kolo

Konturni crtež

Specifikacija

Un=3000V.DC
Kapacitet (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapacitet (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapacitet (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapacitet (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapacitet (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70